日志
3nm芯片传来新消息，台积电迈出关键一步，三星再次落后
2021-12-07 09:22
文/有鱼 审核/张子扬 校正/知秋 在半导体制程的进程中，3nm是继5nm之后的下一个工艺节点，因为在5nm工艺上落后了台积电一步，三星对3nm工艺寄予厚望。 但就12月2日传来的消息来看，在3nm工艺上，台积电已经迈出关键一步，而三星再一次落后，这或许意味着三星实现“2030年超越台积电”的目标难度再次增加。  IT之家报道，有国外媒体报道称，产业链人士透露台积电的3nm制程工艺，已经进入试验性生产阶段，预计在明年四季度进行大规模的量产。 这也与台积电此前的预期基本一致，台积电CEO魏哲家曾透露，3nm制程工艺将在今年风险试产，明年下半年实现大规模量产。 再加上该产业链人士透露，台积电3nm工艺将在台积电晶圆十八厂进行试验性生产，与台积电官方公布的3nm工艺主要生产工厂一致，“台积电3nm进入实验性生产”消息的真实度很高。  反观三星，尽管官方也透露3nm工艺将在2022年实现量产，但最近一段时间却并没有传来新进展。因此，截至目前三星在3nm工艺上再次落后了台积电一步，但这也是意料之中的事情。 在3nm工艺上，台积电选择了传统的Fin FET晶体管架构，而三星为了在3nm工艺上实现对台积电的超越，激进的选择了GAA晶体管技术。 不可否认的是，在技术方面，对比台积电三星所采用的GAA工艺更先进。理论上来说，使用该工艺制造出的3nm芯片将具有更强的性能和更低的功耗。  需要注意的是，三星3nm是芯片制造史上首次采用GAA架构，有很多技术难题需要克服。此前，三星3nm GAA工艺就被曝光面临漏电、制程排版布局不合理等问题。 而台积电3nm所采用的Fin FET晶体管架构，技术相对更成熟，研发速度自然比三星更快。而且，Fin FET晶体管架构还拥有复合预期的良率表现，同时降低整体成本。 与三星3nm GAA技术相比，台积电依旧处于优势地位。因此，就目前的情况来看，在3nm工艺制程上，即便采用了新工艺，三星也很难对台积电实现弯道超车。  据台积电在官网上透露的信息可知，台积电3nm工艺代工的芯片，对比5nm工艺芯片，晶体管的理论密度将有70%的提升，运行速度则提升15%，能效提升30%。 目前已经基本可以确定，苹果、英特尔将成为台积电3nm工艺的首批客户，其中苹果是台积电目前最大的客户，也是其主要营收来源，苹果选择台积电并不令人意外。 而英特尔CEO虽然此前一直在吐槽台积电，但此次也及时跟进台积电3nm工艺。12月3日消息，DiguTimes报告显示，台积电将在2023年一季度向苹果、英特尔等客户运送3nm芯片。  不过，即便强如台积电，想要实现3nm工艺制程的量产，也需要客服一些困难，例如芯片设计复杂、晶圆代工成本飙升，以及EUV光刻机采购成本增加等。 当然，台积电也制定了一系列计划改善这些问题，例如制定EUV改善计划，改良EUV光刻机设计，导入更先进的封装技术等，以争取更多客户采用台积电3nm工艺。 在11月下旬快科技曾报道，有消息称AMD和高通会转投三星3nm工艺，虽然不是全部订单，但这对台积电来说实在不是一个好消息。 对于这一传闻，台积电方面不予评价，但台积电CEO魏哲家曾表示，台积电3nm会是最具竞争力的技术。 你认为三星和台积电，谁能在这场3nm大赛中取得胜利？ |
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2021-12-07 10:03 -
