Intel 545S 256GB M.2 SSD 评测
前言：IMFT的3D2 TLChttp://image.koolshare.cn/attachment/album/201711/20/234737h2iz3ddnuh3ekzhh.jpg
其实早就拿到这颗INTEL 545S 256GB M.2 SSD了，但是最近一直忙于自己的工作，被弄到焦头烂额，所以拖延了这个测试。
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当时去要求送测这颗SSD，更多的想法还是想看看第一颗INTEL 3D NAND 64层堆叠的TLC的写入有哪些性能上面的改善，因为光从参数来看，并看不出什么特别的优势。
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那么根据INTEL的命名规则，545S使用的3D2 TLC即为IMFT 3D TLC第二代64层堆叠，IMFT在垂直方向上采用了传统浮栅技术（floating gate technology）。3D2 TLC的Die具有64个有效层，以及用于伪字线和源极漏极选择栅极的附加层。闪存单元使用垂直沟道环绕栅极结构。CMOS解码器和读出放大器位于NAND闪存阵列下面，可大大节省芯片面积。3D2 TLC的Die大小256Gb=32GB，Die尺寸为59mm 2，TLC位密度为4.34Gb / mm 2
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而600P使用的3D1 TLC则为IMFT 3D TLC第一代32层堆叠。3D1 TLC的Die具有32个有效层，3D1 TLC的Die大小384Gb=48GB，Die尺寸为168.5mm2，TLC位密度为2.28Gb / mm2 。
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从技术层面和成本考量来说，16NM TLC的单DIE大小是128Gb=16GB，而3D TLC 第一代32层堆叠的单DIE是384Gb=48GB，而3D TLC第二代64层堆叠的单DIE是256Gb=32GB。从IMFT的PPT来看，3D1 TLC 比16NM 2D TLC每GB成本降低30%，而3D2 TLC又比3D1 TLC的每GB成本降低30%。
http://image.koolshare.cn/attachment/forum/201712/12/222111xwcimegd8ep138e2.jpg相对于东芝的BICS3和三星的3D V-NAND的64 Layers的3D TLC而言，IMFT 3D2 TLC在单位面积内的容量做到了最大化4.34Gb / mm2，但是目前从INTEL 545S的M.2型号来看，最大只有512GB，而且只有2颗NAND，说明IMFT封装3D2 TLC的时候目前只做到了8Die的封装，所以目前单颗NAND最大做到了256GB容量。看来虽然Die面积在64Layer的3D TLC中做到了最小的59mm2，但是在大容量封装中也不是具有绝对优势的。
当然这些3D NAND的前言说完了，我们还是最关心使用这个NAND制造的SSD的效能到底如何？
第一章 外观、拆解以及IC解析
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INTEL 545S 256GB M.2的外观
官标参数其实相对于早期的540S还是没有明显的提升，虽然是M2 SSD，但是同为SATA 6G的非NVME产品的速度基本也就这样了。
最大化持续读：550 MB/S
最大化持续写：500 MB/S
最大化随机读：75K IOPS
最大化随机写：85K IOPS
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寿命来说终身写入量和3D1 TLC的600P保持一致，144TBW，160W小时的平均无故障时间，五年保修。
从差异化而言，545S区别于600P和540S的最大特性是加入了端对端的数据保护，而INTEL的消费级SMI主控产品依然按照惯例关闭了远程安全擦除功能。
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去标拆解后，可以很明显的看出所有的IC元件都在SSD的正面，而反面是裸板。
正面PCB赫然分布着一颗主控，一颗缓存和两颗NAND。
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主控SMI P6W549 其实就是SMI2259。不过是INTEL定制版主控而已，这颗SoC内置了32位的RSIC CPU，SATA6G接口，支持4通道共32CE的NAND。http://image.koolshare.cn/attachment/forum/201712/12/224928xtp19tfptf2zp7fd.jpg
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从SMI2259的资料来看，和SMI2258的区别有几点：
1、2259是BGA332针脚封装，2258是BGA323针脚封装
2、2259加入了端对端保护
3、2259支持ONFI 4.0的NAND，而2258仅支持ONFI 3.0
4、从发展趋势来看，2259应该是SMI针对IMFT新一代的3D2 TLC以及未来的3D3 TLC的支持会更加完善。
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SKhynix H5TC2G63GFR是SKhynix出品的DDR3L 1600 256MB缓存
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29F01T2ANCTH2是INTEL 3D2 TLC，使用了64层堆叠，单颗容量128GB，因为3D2单Die就是32GB而已，所以这颗NAND应该是4Die封装。
第二章 测试
第一节 测试平台
主板华擎Z370M ITX/AC处理器INTEL I7 8700KDRAM芝奇 幻光戟 DDR4 3200 C14 8GBX2图形EVGA GTX1060 6GB SC电源台达FLEX 400W金牌机壳ZS-A4M散热器猫头鹰L9I系统盘INTEL DC S3500 800G操作系统
Microsoft Windows 10 PRO X64 1703
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第二节 初测
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CDI的SMART检测属性，依然还不完整。
对于TLC盘来说，大家最关心的还是不同大小的数据块下的读写衰减情况，以及空盘和接近满盘下的性能差距
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AS SSD BENCHMARK 空盘下1/3/5/10GB数据块下的测试
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AS SSD BENCHMARK 83%满盘下1/3/5/10GB数据块下的测试
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CDM测试选用1GB 4GB 16GB 32GB数据块大小在空盘下进行测试
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CDM测试选用1GB 4GB 16GB 32GB数据块大小在83%满盘下进行测试
在两个测试中可以发现，空盘和83%满盘下的测试几乎没有什么差异化存在，而不同数据块大小影响的只是持续的写入性能，但是衰减不大，AS SSD BENCHMARK的1G~10G数据块下的持续写入衰减在34%，而CDM在1G~32GB数据块测试下的持续写入衰减在17%左右，这已经好于大多数的TLC盘的表现了。
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用HDTACH去印证全盘读写效能的话，可以发现，在爆掉545S的SLC Cache之后，持续写入从400MB/S以上跌落在272MB/S附近，而持续读取则一直保持平稳的466MB/S的速度。
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使用HDTUNE的测试得出的结论和HDTACH基本一致
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将我们的测试勾选为4GB的数据快大小快捷行程来测试写入的话，可以得出该盘的SLC Cache在2GB~2.2GB左右。
下面将要进行的是最大带宽测试和离散度测试，测试之前的预处理手法是：* 清洗：安全擦除即SECURE EARSE* 预热：使用IOMETER在128K持续写入双倍SSD容量
真不错啊 好硬盘，买不起对和它配合的电脑。 测试的指标真是细啊，好东西
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