kkw117 发表于 2020-12-8 13:42

PW2308芯片N沟道增强型MOSFET

一般说明
PW2308采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
特征
VDS=60V，ID=5A
RDS（开）<38mΩ@VGS=10V
提供3针SOT23-3封装
应用
电池保护
负荷开关
自动照明


代理商：深圳市夸克微科技
郑生： 13528458039
QQ ： 2867714804
页: [1]
查看完整版本: PW2308芯片N沟道增强型MOSFET