芯片制造:从传统封装到晶圆级封装
在芯片制造的最后环节,裸片(Die)需要穿上“防护铠甲”——既要抵抗物理损伤和化学腐蚀,又要连接外部电路,还要解决散热问题。封装工艺的进化核心,是如何更高效地将硅片转化为功能芯片。一、传统封装:先切割,后穿衣核心流程:Wafer → Dicing → Packaging
[*]晶圆切割(Dicing)用金刚石刀片或激光将晶圆切成独立裸片
[*]芯片粘接(Die Attach)银胶或DAF薄膜(Die Attach Film)将裸片固定在基板
[*]互联工艺金线键合(Wire Bonding):用25μm金线(比头发细1/3)连接芯片焊盘与基板
[*]模塑封装(Molding)环氧树脂模塑料(EMC)注入模具,高温固化形成保护壳;
晶圆级封装(WLP):先穿衣,后切割核心流程:Wafer → Packaging → Dicing
[*]晶圆级加工重布线层(RDL):在整片晶圆上光刻出铜导线,重新排布焊盘位置植球(Solder Bumping):通过电镀在焊盘上制作锡球或铜柱凸块
[*]整片封装整片晶圆涂覆保护层(PI/BCB介电材料);部分工艺增加硅通孔(TSV)实现3D堆叠
[*]切割分离完成所有封装步骤后切割晶圆,单片芯片直接可用
技术对比
特性传统封装晶圆级封装(WLP)
流程顺序先切后封先封后切
处理对象单个芯片整片晶圆(批量处理)
厚度0.8-1.2mm0.3-0.5mm(减薄60%)
I/O密度≤500 pin/cm²≥2000 pin/cm²
生产速度每小时数千颗每小时数万颗
典型应用家电MCU、功率器件手机射频芯片、传感器、MEMS
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