SK海力士发布控温散热存储技术“iHBM” ，助力提升AI系统效率
SK海力士26日宣布，公司发布“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE*”，显著降低产品运行时的发热量。
[*]在HBM封装内集成冷却元件（ICE），优化高热集中区域的散热路径
[*]热阻降低30%以上，确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行特性
[*]采用经市场充分验证的MR-MUF，以高度设计兼容性，降低客户导入门槛
韩国首尔，2026年5月26日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）26日宣布，公司发布“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE*”，显著降低产品运行时的发热量。* ICE（Integrated Cooling Elements）：利用绝缘、高导热性的硅基材料，在HBM封装内部额外构建散热路径的冷却元件伴随AI算力需求持续激增，HBM不断通过增加堆叠层数、提升运行速度来实现性能的迭代升级，同时也带来发热量攀升的难题。因此，有效控制连接HBM与GPU的D2D PHY*区域的功率密度**，正成为下一代HBM技术竞争力的核心。
* D2D PHY（Die-to-Die Physical Layer）：实现HBM基础芯片与AI高速芯片之间超高速数据传输的物理互联通道** 功率密度（Power Density）：指单位面积产生的热量数值，是决定设备或系统的散热效率与使用寿命的核心指标iHBM技术的特点在于从结构层面根本性解决上述散热难题。传统HBM依赖热量经由核心芯片（Core Die）向外传导的间接散热方式。iHBM的核心在于，直接在热量最为集中的D2D PHY区域内嵌入热控元件（ICE），构建专用热量排出通道（Heat Path）。相较传统方案，热阻（Thermal Resistance）降低30%以上，同时确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行特性。该技术在量产可行性方面也具备显著优势。产品采用经市场充分验证的先进MR-MUF*晶圆级封装（WLP**）工艺，可实现稳定规模化量产。此外，该技术与客户现有系统级封装（SiP***）环境具备高度设计兼容性，客户无需进行大规模设计改动，即可直接部署，从而有效降低了实际导入门槛。
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