SD8666QS内置MOS 多协议旅充快充方案

骊微电子ic · 发表于 2019-8-29 11:55

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12v3a多协议旅充快充全套解决方案，包括原边PWM控制芯片SDH8666Q，同步整流控制芯片SD8510和协议芯片SD8605。SDH8666Q采用EHSOP5贴片封装，内置高压启动功能和高压Super Junction MOS，骊微电子推出的12v3a多协议旅充快充全套解决方案支持30W快充应用，SD8605在上一代协议IC SD8602Q基础上内置了负载隔离管，提高了系统集成度，降低了外围器件数量，该方案支持PD/QC/FCP/SCP等多协议。

SDH8666Q产品特点：
● SSR架构芯片，工作于CCM/DCM/QR模式
● 内置高压启动，待机功耗<40mW
● 内置650V高压DPMOS
● 改善的抖频方式，有效降低EMI
● VCC HOLD功能，防止轻载或动态切换时芯片欠压重启
● Brown in/out，输出二极管短路保护等完善的保护功能
● EHSOP5贴片封装
SDH8666Q电路图.jpg

SDH8666Q系列产品EHSOP5优势突出：
1、产品采用自有EHSOP5贴片封装，更适于自动化生产；
2、封装厚度仅为1.6mm，是TO252封装的2/3，对外壳温升影响更小；
3、Rthja为60℃/W，与TO252相当，而Rthjc仅为1.05℃/W，是TO252封装的1/2，更有利于散热。
12V3A旅充方案.jpg

SDH8666Q系列内置大功率MOSFET的SSR反激电源管理芯片，是新一代SSR反激控制芯片，采用了自有专利EHSOP5贴片封装，内置高压大功率MOSFET，可广泛适用于36W适配器或48W开放环境，包括通用适配器、快充、显示器和平板电视等，更多SDH8666Q多协议旅充快充全套解决方案及相关资料可以咨询士兰微一级代理商骊微电子。