国产SRAM芯片XM8A51216随机X型存储器

英尚微电子

                               
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XM8A51216

采用异步SRAM接口并结合独有的XRAM免刷新专利技术，在大容量、高性能和高可靠及品质方面完全可以匹敌同类SRAM，具有较低功耗和低成本优势，可以与市面上同类型SRAM产品硬件完全兼容，并且满足各种应用系统对高性能和低成本的要求，XM8A51216也可以当做异步SRAM使用，称为新型国产SRAM芯片也不为过,

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XM8A51216是基于TLC DRAM（三态 DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）专利技术而成的新型存储器。与传统的DRAM和SRAM不同,

XM8A51216具有以下几个技术特点：

1、数据读取速率快于DRAM产品10倍，延时10ns左右；

2、容量覆盖Megabit到Gigabit；

3、可以节省40%左右的存储阵列功耗；

4、从用户端不需要考虑刷新机制，可以随时访问。

XM8A51216封装图

                               
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型号表：
[table=903]DensityPartNumberBW bitVddSpeedPackage64MbXM8A04M16V33AX163.3V10/12nsTSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)64MbXM8A08M08V33AX83.3V10/12nsTSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)32MbXM8A02M16V33AX163.3V10/12nsTSOP1(48)/BGA(48)32MbXM8A04M08V33AX83.3V10/12nsTSOP1(48)/BGA(48)16MbXM8A01M16V33AX163.3V10/12nsTSOP1(48)/BGA(48)16MbXM8A02M08V33AX83.3V10/12nsTSOP1(48)/TSOP2(44)/BGA(48)8MbXM8A51216V33AX163.3V10/12nsTSOP2(44)/TSOP1(48)8MbXM8A01M08V33AX83.3V10/12nsTSOP2(44)/TSOP1(48)4MbXM8A25616V33AX163.3V10/12nsTSOP2(44)/BGA(48)4MbXM8A51208V33AX83.3V10/12nsTSOP2(44)/BGA(48)