双电源8位I/O并行接口MRAM芯片MR256D08BMA45R

英尚微电子 · 发表于 2022-8-18 17:12

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MR256D08BMA45R是一款容量为256Kb的磁阻随机存取存储器

存储芯片，组织为32x8位字。它支持+1.65至+3.6伏的I/O电压。MR256D08BMA45R提供与SRAM兼容的45ns读/写时序，具有无限的耐用性。

的数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护，以防止在非工作电压期间写入。是必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用的理想内存解决方案。

此款并口MRAM芯片能在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。封装采用48BGA)，并行MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。

在2006年从飞思卡尔半导体公司独立分离出来，成立后一直致力于研发MRAM芯片的产品，也是全球第一家生产商业化MRAM芯片，是世界领先的分立和嵌入式MRAM开发商和制造商，产品广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。

闪耀的空白 · 发表于 2022-8-19 08:22

bidezhi7777 · 发表于 2022-8-19 08:49

889999A · 发表于 2026-8-20 11:35

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[供应] 双电源8位I/O并行接口MRAM芯片MR256D08BMA45R