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[零组件/半导体] Litho Bridge Defect(二)

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发表于 2025-5-18 22:30 | 显示全部楼层 |阅读模式

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一、光刻中"Bridge Defect“亚种?
今天介绍的这种则是有比较明显特征的,在defect map上表现为分布面积很大,在形貌上表现为大块区域的光阻桥连,从发生的概率上讲,几乎占据了90%,其分布及形貌见下图。
2230150ef1bfb2.png
而第一次介绍的那种defect,表现为很小的区域,甚至可以为一个“点”,从形貌上来看,也是很小的一点,像一个爆破的微泡,这种桥连缺陷一般不常见,在实际中大概约10%发生,其分布与形貌见下图。
223015a3c8f2e9.png
将他们放一起对比,大家仔细体会,与由COT造成的Bridge Defect加以区分。
二.这种缺陷如何造成?
这种比较简单,问题直接锁定在DEV,一般情况下是由于显影不良造成的,大致可以细分为以下两个方面原因:
1)由于显影Nozzle造成,比如说Nozzle头脏了,或者显影液喷淋异常等,影响了光刻胶显影质量。
2)由于Rinse问题造成,比如说Rinse冲洗单元有异常,rinse不太充分,显影后的残留没冲洗干净等。
三.出现这种缺陷,我们怎么办?
FAB里必须树立的意识"止血",工艺工程师Down机,然后通知设备工程师去清DEV chamber。而在研发平台,那么自己简单清洗一下显影Nozzle就行,然后dummy一下就继续流片了。


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发表于 2026-4-18 17:02 来自手机 | 显示全部楼层
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