5nm及以下节点CMOS技术的挑战与创新

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本报告为学术资源的综合，引用来源包括IEEE、ACS、Springer等，作者源于中科院微电子所、台积电等机构和企业，也涉及英特尔、三星等工业界实验室和台湾大学、清华大学等学术界团队。

报告内容

1、纳米级晶体管设计（GAA、FDSOI等）；

2、纳米FET工艺（铜互连、选择性蚀刻等）：

3、后摩尔时代的材料（GeSn异质结、III-V材料与光子集成等）：

4、计量技术（混合计量与AI应用等）。