5nm FinFET Process Flow [5] SRAM

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凉风卷进室内，带走了黏附在皮肤上的汗水，和憋在胸口的闷气。李小勺如释重负：“之前是我们考虑不周，SRAM 确实还有优化的空间。”

　　乌云已经遮满天空，晌午忽然变成了黑夜。风里夹着雨星，吹得树梢摇摇晃晃。胡家辰赶回来，用力关上门，向梁老师汇报房顶的情况。

　　李小勺打开笔记本，就着灯光找到 memory 那页，读道：“SRAM 是速度最快的存储器，主要用于 CPU 的缓存（Cache）。最简单的存储单元需要六个晶体管（Transistor），所以又叫  6T。为了增强读写能力，还有 8T 的结构……”

　　何田打断他：“当时周老师课上讲过，我听得一头雾水。你直接告诉我怎么做。”

　　李小勺翻到后面的版图结构：“我们用 Fin cut 的方式做出来是均匀的 Fin Pitch。更好的设计是做成不均匀的间距（non-uniform fin pitch）。”

　　他在纸上画了两个箭头：“两个PU管之间空隙（space）可以缩小。把裕量释放给 bitcell boundary，这里 M0 space 是最紧张的。至于 NP 之间的空隙，我们做 metal gate cut 也可以释放裕量。这样，仔细分配三个关键尺寸，缩小面积的同时还能提升良率。”

　　何田听懂了：“那就是要在 mandrel 2 之前加一道光刻，用 SADP 专门做 bitcell。”

　　西边天空闪过一道白光，紧接着就是轰隆隆的炸雷，整栋房子抖了三抖。旁边说话声瞬间消失，只听见机台运转的嗡嗡声，和大颗雨点砸在地上，像豆子撒了一地。梁仲宁盯着院子里雨布下的设备和材料。

　　张思钼和刘铱尘趴在窗边看瓦片上流下来的水柱。他们已经做到沉积多晶硅，等待的时间正好无聊。

　　李小勺稳定心神，说：“高密度的  SRAM111 用 SADP 能做出来，但高性能版不行。 SRAM122……”

　　张思钼突然凑过来：“你们 SRAM 的面积是 0.0122 um² ？！”

　　何田连忙解释：“不是不是，用面积标记 SRAM 种类是平面工艺的习惯。我们不能像平面工艺那样增加 NMOS 的尺寸，只能增加一根 Fin 来提升 6T SRAM 的速度。所以说的 111 和 122 是PU、PD、PG 三种管子的 Fin 数量。”

　　张思钼恍然大悟，刘铱尘暗自庆幸：“还是我们做的 GAA 结构好，灵活得多~”

　　李小勺已经想好了工艺流程。他在逻辑单元的旁边画给何田看：“还是要用 SAQP，有个 spacer merge 的小技巧可以做出不均匀的 Pitch。”

Step 1. 曝光

Step 2. 刻蚀形成 mandrel 1

Step 3. 沉积 Mandrel 1 spacer，SRAM 区域出现 spacer merge

Step 4. 垂直方向刻蚀露出 mandrel，merge 的地方被保留下来

Step 5. 高选择比刻蚀，保留 spacer

Step 6. 将 spacer 传递到 mandrel 2

Step 7. 沉积 Mandrel 2 spacer

Step 8. 露出 mandrel

Step 9. 高选择比刻蚀，保留spacer

Step 10. Fin etch

　　确定了新的工艺流程，两人又回到最初的起点，重新开始堆叠一层层薄膜。

　　风渐停，只剩下滂沱大雨。屋檐下瀑布连成一片，地上的水流汇成小溪，整个世界遍布灰色和黄色的水。

　　天花板开始出现渗水，胡家辰急忙找来盆和桶，水滴在盆底发出叮咚声。他松了一口气，突然感觉眼前一黑，机器的嗡嗡声也瞬间安静下来。

　　停电了。