芯片设计中memory的评估

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芯片设计中memory的评估，主要考量下面3个方面：

1. Timing：最主要考虑ss corner下的min cycle和read latency，要留足够的margin给逻辑。

2. Leakage：主要关注ff corner下的漏电（包括standby和dc下的漏电），确认可否满足规格要求。

3. Size and shape：在满足timing和leakage的情况下，尽量选面积小的（废话），以及形状尽量接近正方形。

为了可以让我们挑到合适的memory，vendor会在memory compiler中开放一些选项让我们来勾选（memory类型的选择就不说了），主要包括以下5个方面：

1. mux可以让你改变memory的形状。

2. 低功耗选择，可以让我们选择是否支持power gating，retention，deepstandby/NAP等。

3. 外设器件门限选择，HVT低leakage但会导致read latency增大；RVT稍高leakage但read latency会比较好；LVT的leakage极大但read latency表现会极其优异。当然工具会帮你来个混合选择，生成一个leakage和read latency相对平衡的memory。

4. 还有repair或者redundancy功能，来提升芯片的良率和可靠性。

5. 另外，当memory比较大，read latency会较大，此时有两种方式可供优化：

   5.1  使用LVT器件，但leakage会极大，     尤其高温下可能会有10倍以上的差距。

   5.2  用稍小的memory拼凑出大的      memory，但会导致面积变大。

当然，评估本身还有很多其他的因素需要考虑，如读功耗，写功耗等，具体根据实际的需求来综合考量。如果可以的话，最好把待选择的memory放到综合平台实际try run一下，看看reg2memory和memory2reg的slack，再根据实际情况调整如上的选项等，选出相对最优memory，祝一把搞定