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[零组件/半导体] 英伟达800V高压直流架构革新AI数据中心,三大功率GaN大厂新品揭秘

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电子发烧友原创 章鹰

GaN作为一种性能优异的宽禁带半导体材料,近年来在功率半导体市场备受关注,从消费电子快充领域崛起,到如今的AI服务器、人形机器人等新兴市场应用,氮化镓器件正在显示强大的发展潜力。最近两家大厂在氮化镓领域新动态引发了业界的关注。

5月21日,纳微半导体美股盘后上涨了超202%,导致股价上涨的最重要原因之一是英飞凌和纳微结成的战略合作,5月20日,英伟达与纳微宣布构建合作伙伴关系,开发基于全新架构的下一代电源系统,该系统采用800 V高压直流 (HVDC) 集中发电技术。

7月3日,国产GaN龙头企业英诺赛科股价表现强劲,涨超11%。6月30日,英诺赛科发布公告,其最大基石投资者意法半导体(STM)原禁售期于6月29日到期后,已书面承诺未来12个月内不减持任何股份。 除基石投资者外,资本市场中的多家机构投资者同样看好英诺赛科的发展前景。7月8日,英诺赛科确认,公司将进一步提升8英寸(200nm)产能,预计年底将从1.3万片/月扩产至2万片/月。

TrendForce集邦咨询最新报告《2024全球GaN Power Device市场分析报告》显示, 2023年全球GaN功率元件市场规模约2.71亿美元,至2030年有望上升至43.76亿美元,CAGR(复合年增长率)高达49%。在AI数据中心电源领域、纳微、英飞凌、英诺赛科推出了哪些新款产品?本文根据其性能优势和架构特色进行详细介绍。

GaN+SiC!纳微全球首发97.8%超高效12kW AI服务器电源

5月21日,美国功率半导体企业纳微半导体宣布,推出专为超大规模AI数据中心设计的最新12kW量产电源参考设计,可以适配功率密度达120kW的高功率服务器机架。

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发表于 2025-11-25 00:11 来自手机 | 显示全部楼层
800v高的要求,这些ai为什么要高压运作

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减少传统架构降压带来的效率损失  详情 回复 发表于 2026-4-23 16:18
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当骄阳渐渐远去半月高

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发表于 2025-12-29 08:33 来自手机 | 显示全部楼层
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