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[业界/制造] 一文搞懂芯片内部隔离带——Guard Ring

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本篇文章介绍的Guard Ring更像是芯片内部模块间的隔离带,是芯片内部的电学隔离屏障,能够动态吸收/导流芯片内部电学的威胁,降低闩锁效应,衬底噪声和信号的串扰。今天我们深入芯片腹地,一起来了解这位“隔离大师”。一文搞懂芯片的护城河——Seal Ring
一、什么是Guard Ring
在芯片设计中,Guard Ring(保护环) 是一种非常重要的版图结构,它环绕在敏感电路或器件(如模拟电路、高精度器件、存储器单元、I/O驱动器等)周围,就像一个“隔离带”。它的主要目的是提高电路的可靠性、性能和抗干扰能力。
二、Guard Ring版图
1.版图调用
Guard Ring和mpp结构完全一样,只不过一个是围绕在器件周围作为衬底接触,一个是放在模块周围,作为隔离环使用,mpp代工厂文件自带,我们一般会自己去做一版,如何制作在之前的文章中提到了,如果不知道可以直接跳转Day47: 制作 Multipart Path (mpp)详细步骤    ——以SMIC 40 nm NGR2 为例
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2.版图核心组成
①衬底接触环:
材料: 高掺杂的P+区域(对于P型衬底)或N+区域(对于N型衬底/深N阱)。
作用: 提供到半导体衬底(通常是地电位VSS)的低阻连接点,能够收集衬底中不需要的少数载流子(电子或空穴),防止它们干扰被保护的电路,同时能稳定衬底电位,减少衬底噪声耦合,为可能的寄生电流(如闩锁触发电流)提供低阻泄放路径。
②阱接触环:
材料: 高掺杂的N+区域(对于N阱)或P+区域(对于P阱)。
作用: 提供到阱(通常是电源电位VDD或VSS)的低阻连接点,能够稳定阱的电位,收集阱中产生的少数载流子,在双阱工艺中,N阱接触环本身就可以作为阻挡衬底中少数载流子(空穴)进入N阱的屏障。
③隔离结构:
类型: 通常是浅沟槽隔离或深沟槽隔离。
作用: 物理上分隔保护环内的区域和保护环外的区域。能够阻止表面漏电流路径,增加载流子(尤其是少数载流子)从外部区域扩散进入保护环内区域的难度,是防止闩锁效应的关键物理屏障之一。
④连接线:
作用: 将衬底接触环和阱接触环通过通孔和金属层连接到指定的电位(通常是VSS或VDD),确保这些接触点具有非常低的电阻连接至关重要。
三、Guard Ring主要作用/用途
1.防止闩锁效应:
这是Guard Ring最原始和最重要的作用。闩锁效应是由芯片内部的寄生PNPN结构(类似于可控硅SCR)被意外触发引起的,会导致大电流、功能失效甚至芯片烧毁。Guard Ring通过提供低阻的阱和衬底接触,能有效收集触发闩锁的寄生载流子(空穴或电子),在它们达到足以触发闩锁的浓度之前将其泄放掉。同时,隔离结构增加了载流子横向流动的难度。特别关键地保护了那些包含NMOS和PMOS相邻放置的电路(如CMOS反相器、I/O驱动器)。
2.抑制衬底噪声耦合:
芯片上不同模块(尤其是数字模块和敏感的模拟模块/射频模块)工作时会产生噪声,这些噪声会通过公共的硅衬底传播耦合。Guard Ring(特别是连接到干净VSS的衬底接触环)作为一个低阻抗的“汇”,可以吸收和分流掉试图进入被保护区域的衬底噪声电流,提供一个局部的“安静地”,显著降低噪声干扰。
③阻挡少数载流子注入:
芯片上某些区域(如开关状态的NMOS源/漏、反向偏置的PN结)可能会向衬底注入少数载流子(电子或空穴),这些载流子扩散到敏感区域(如高阻节点、存储节点、精密基准源)会干扰其正常工作(如导致漏电流、电压偏移、数据错误),Guard Ring(尤其是反向偏置的阱接触环,如N阱环接VDD阻挡空穴)和接触环本身可以收集这些扩散过来的少数载流子,防止它们到达敏感区域。
4.提高器件隔离度:
在需要高隔离度的应用中(如RF电路、混合信号电路),Guard Ring有助于减少相邻器件之间通过衬底的串扰。
5.增强可靠性:
通过防止闩锁、减少噪声干扰和漏电流,Guard Ring显著提高了被保护电路的长期工作可靠性和稳定性。
四、总结
Guard Ring是芯片版图设计中一种基础而关键的保护结构。其核心是通过在敏感电路周围精心布局阱接触环、衬底接触环和隔离结构,并将它们连接到合适的电源/地网络,形成一个有效的载流子收集阱和噪声隔离带。它的主要作用是防止致命的闩锁效应、抑制衬底噪声耦合、阻挡有害的少数载流子注入,从而显著提升芯片的鲁棒性、性能和可靠性。设计良好的Guard Ring是保证复杂芯片(尤其是混合信号芯片、高可靠性芯片)成功量产的关键因素之一。当然,添加Guard Ring会增加芯片面积,设计时需要权衡防护效果和成本。


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