英飞凌推出业界首款电流密度超2 A/mm²的TLVR四相电源模组，助力提升下一代AI计算性能

zw006 · 发表于 2026-4-10 02:04

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？立即注册

×

【2026年3月31日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出两款全新高压中间总线转换器（HV IBC）参考设计，帮助客户加速向±400 V和800 V直流（VDC）供电的AI服务器电源架构转型。这些参考设计采用英飞凌的650 V CoolGaN™开关，专为追求更高机架功率、更低配电损耗、更优散热性能的超大规模云服务提供商、电源架构提供商与服务器OEM厂商所设计。

新款参考设计针对两种不同的架构进行开发：800 VDC至50 V的设计作为下游48 V IBC 模块的中间级，而800 VDC至12 V的设计则为紧凑型服务器主板提供直接的电压转换。针对定制化应用，英飞凌还提供数字控制器XDPP1188-200C，支持灵活的输出电压，包括48V、24V和12V。

英飞凌科技电源系统事业部副总裁Christian Burrer表示：“英飞凌持续走在AI供电领域的前沿。我们的HV IBC参考设计凭借高品质的功率半导体与系统级设计专业知识，帮助客户加速迈向高压直流数据中心架构。通过展示完整、高效的实现方案，我们帮助客户降低开发风险、提升功率密度，并实现大规模的能源效率提升。”

此次推出的800 VDC或±400 V至50 V HV IBC参考设计专为下一代AI数据中心开发，满载效率超过98%。该设计采用英飞凌优化的高压和中压CoolGaN™开关、EiceDRIVER™栅极驱动器以及PSOC™微控制器，包含两个3 kW 400 V至50 V转换模块，采用输入串联-输出并联（ISOP）配置。该架构可扩展至6 kW 持续功率设计（TDP），并支持在400 µs内达到10.8 kW。利用PCB集成平面变压器，多级同步整流器，以及全载条件下的软切换来降低电磁干扰（EMI）。该紧凑型设计方案尺寸仅为60 x 60 x 11 mm，实现了2.5 kW/in³优异的功率密度。

第二款参考设计是一个超薄HV IBC演示板，将800 VDC总线电压直接转换成12 V中间总线电压。该设计提供6 kW TDP，且支持在400 µs内达到10.8 kW的峰值功率。作为ISOP半桥LLC转换器，它采用创新的矩阵变压器设计，占板面积为130 mm × 40 mm，厚度仅为8 mm。其功率密度达到2.3 kW/in³以上，并支持创新的服务器主板散热方案，峰值效率可达98.2%，而满载效率可达97.1%。为满足这些严苛的规格要求，该设计采用了英飞凌高效的650 V CoolGaN™和40 V OptiMOS™ 7开关，搭配EiceDRIVER™栅极驱动器和PSOC™微控制器。

这两款HV IBC参考设计专为与英飞凌从电网到核心的各种AI服务器供电产品组合配合使用而优化设计，包括固态变压器和固态断路器、高压和中间总线转换以及第二级DC转换电源模块。英飞凌充分发挥硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的优势，大幅提高产品效率、密度与可靠性，以经过验证的高品质半导体器件、持续的设计支持以及可扩展的产品性能为客户提供通往下一代AI服务器平台端到端电源架构的明确路径。