采样电阻的相关知识

YZIM12151

采样电阻的摆放[backcolor=var(--b3-font-background10)]必须同时满足四个条件：

• ​在电路回路中​：串联在正确的电流路径中。（要去看电流方向）
• ​为开尔文连接让路​：焊盘内侧有空间引出极细检测线。
• ​紧靠参考地​：物理位置决定了地线分区和噪声耦合。
• ​散热与功率​：大电流下的发热和压降需要足够的铜箔面积。（电阻旁留下充足空间）
  

---

情况A：相电流采样电阻（每个半桥下管的源极）

这是FOC中最重要的三个采样电阻（U、V、W各一个）。它们的位置决定了相电流检测的成败。

1. 串联位置：必须放在下管MOSFET源极和功率地（PGND）之间

• ​正确​：下管MOSFET源极 → 采样电阻 → PGND铜皮​
• ​错误​：绝对不能放在MOSFET漏极或上管回路。因为在下管导通时，电流才流过这个电阻；在上管导通时，电流不流过它。FOC依靠单电阻或双电阻采样策略，必须在正确的时刻采样电流。
  

2. 物理布局位置：紧靠下管MOSFET的源极引脚

• ​[backcolor=var(--b3-font-background10)]必须极近[backcolor=var(--b3-font-background10)]：采样电阻与MOSFET源极焊盘之间的铜皮长度应[backcolor=var(--b3-font-background10)]小于5mm。
• 为什么？ 这段走线承载着几十安培的脉冲电流，它的寄生电感会在开关瞬间产生巨大电压尖峰（V = L * di/dt​）。如果这段线太长，尖峰会耦合到采样信号上，导致ADC读数出现严重毛刺。
• ​开尔文引出方向​：
  • [backcolor=var(--b3-font-background10)]采样电阻的长边与电流方向一致。
  • [backcolor=var(--b3-font-background10)]MOSFET源极 → 电阻一端的焊盘 → 电阻本体 → 电阻另一端的焊盘 → PGND铺铜。（电流方向）
  • ​关键​：电阻的摆放方向必须让你能从它​两个焊盘的内侧边缘​，垂直于大电流方向，不受阻碍地引出那对极细的开尔文检测线。不要让检测线经过大电流区域。
    
  
  

---

情况B：总线电流采样电阻（PGND与BGND之间）

连接在功率地（PGND）和电池地（BGND）之间的总采样电阻。

1. 串联位置：必须放在所有功率电流的最终汇流点上

• 三个半桥下管的源极、栅极驱动器的退耦电容地、DC-DC电源的地，[backcolor=var(--b3-font-background10)]这些[backcolor=var(--b3-font-background10)]功率地（PGND）[backcolor=var(--b3-font-background10)] 必须全部先汇合在一起，然后[backcolor=var(--b3-font-background10)]只通过这一个采样电阻[backcolor=var(--b3-font-background10)]连接到[backcolor=var(--b3-font-background10)]电池地（BGND）[backcolor=var(--b3-font-background10)]。
• 绝对不能有任何功率元件的地线绕过采样电阻直接连回电池负极。否则那部分电流就检测不到了。
  

2. 物理布局位置：靠近PCB电源入口，作为“星形接地”的枢纽

• ​位置​：靠近电池负极接线端子，或者大容量电解电容的负极。
• ​分区功能​：
  • 它的一侧焊盘是​PGND​，连接所有功率回路（MOSFET、驱动IC）。
  • 它的另一侧焊盘是​BGND​，同时也是信号地（GND） 的唯一连接点。
  • ​整个板子的模拟地（AGND）和数字地（DGND）​，通过一条独立的细线，从BGND焊盘上引出来。这样就把大电流的PGND与敏感的小信号GND彻底分开了。
    
  
  

hantaopcb

a6682100

谢谢大神分享的经验

AIY

学习一下。

隆多舆

looklooooook

隆多舆

looklooooook

1076383223

感谢分享，支持一下。

rockchips

感谢分享

live

谢谢分享

live

谢谢分享