SOT23-3贴片三极管丝印A1SHB/A2SHB完整参数手册

林百万666

SOT-23-3 丝印 A1SHB / A2SHB 对应型号与选型参考

型号：PW2301A（丝印 A1SHB） / PW2302A（丝印 A2SHB） | 封装：SOT-23-3L

SOT-23-3 封装实物示意：左侧丝印 A1SHB 对应 PW2301A（P 沟道 MOSFET），右侧丝印 A2SHB 对应 PW2302A（N 沟道 MOSFET）。一、概述在维修、代换或来料确认时，有些工程师看到 SOT-23-3 封装的贴片器件顶面丝印 A1SHB 或 A2SHB，会先按普通 NPN / PNP 三极管去理解。其实这两个丝印对应的是平芯微（PingWei Semi）推出的沟槽型增强模式功率 MOSFET，型号分别是 PW2301A 与 PW2302A。两颗器件采用完全相同的封装尺寸和管脚排序，1 脚为 Gate、2 脚为 Source、3 脚为 Drain，贴片工艺也没有差别；区别只在于沟道极性：A1SHB 是 -20V P 沟道管，A2SHB 是 +20V N 沟道管。这种互补特性让它们很适合成对出现在锂电保护、负载开关、电源反接保护以及小功率 DC-DC 二次开关等电路里。二、A1SHB 与 A2SHB 快速识别对照

三、PW2301A（A1SHB）核心参数PW2301A 属于 P 沟道增强型 MOSFET，沟槽工艺带来较低的导通电阻，栅极最低驱动电压可以下探到 -2.5V，所以在单节锂电、5V 或 3.3V 逻辑电平驱动的高端负载开关场景里比较常见。下面两张图分别给出了极限参数、封装引脚以及电气特性表，供设计时核对。

四、PW2302A（A2SHB）核心参数PW2302A 是 N 沟道增强型 MOSFET，同样使用沟槽工艺。在 VGS = 4.5V 时典型导通电阻约 23mΩ，2.5V 逻辑电平即可完全导通，因此单节锂电池保护板、TWS 耳机充放电回路、小家电低压 DC 开关等方案里经常能看到它的身影。

五、选型建议如果需要在电池正极或电源高端做开关控制，A1SHB（PW2301A）是更自然的选择；如果开关位置在负载低端、接地侧，或者用于锂电池保护板的放电回路，则 A2SHB（PW2302A）更合适。由于两者封装和管脚完全一致，PCB Layout 时可以预留同一焊盘位置，方便后续做 P / N 互换验证，也能减少一种物料对应一种封装的管理成本。