贴片三极管A09T参数：PW3400A，贴片三极管A19T参数：PW3401A

林百万666

贴片三极管A09T、A19T丝印识别与PW3400A/PW3401A选型参考

SOT-23-3L封装实物对照：左侧丝印A09T对应PW3400A（30V N沟道MOSFET），右侧丝印A19T对应PW3401A（-30V P沟道MOSFET）。

一、产品定位

SOT-23-3L封装的A09T和A19T在维修和研发场景中极为常见。这两颗料并非普通NPN/PNP三极管，而是平芯微（PingWei Semi）采用沟槽工艺开发的30V等级功率MOSFET，具体型号为PW3400A与PW3401A。

· A09T：N沟道，5.8A / 30V

· A19T：P沟道，-4.2A / -30V

两颗器件管脚定义相同（G/D/S），封装兼容，适合3V到24V电源域中的负载开关、DC-DC二次开关、锂电保护、电机驱动以及Type-C 5V/9V/12V电源通路等场景，是一对常用的互补对管。

二、A09T与A19T快速识别

SOT-23-3L引脚定义统一为1=G、2=S、3=D（TOP VIEW）。A09T与A19T引脚排列一致，可在同一块PCB Layout上直接互换验证，设计时只需预留一套封装位即可兼顾N/P两种方案。

三、PW3400A（A09T）核心参数

PW3400A为N沟道增强型MOSFET，沟槽工艺，2.5V逻辑电平即可完全导通。VGS=10V时导通电阻典型值20mΩ、最大值28mΩ，适用于12V/24V系统低边负载开关、锂电保护板以及小型BLDC副端整流等场合。

四、PW3401A（A19T）核心参数

PW3401A为P沟道增强型MOSFET，沟槽工艺，VGS=-4.5V时导通电阻典型值56mΩ，常用于5V/12V/24V系统高端负载开关、防反接、PWM调光调速以及Type-C电源通路。

五、A09T与A19T关键指标对比