中科君芯JFG14N40G 40V N沟道增强型功率驱动器
中科君芯JFG14N40G 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET是种特定的功率场效应晶体管（MOSFET）主要应用在消费适配器、电子工具和 DC/DC 转换器，MOSFET由于其低导通电阻、大电流能力和逻辑电平驱动的特性，特别适用于需要高效、大电流驱动的电路，如汽车电子、工业控制等领域。其关键参数和特性如下：电压等级：这种MOSFET的最大工作电压为40V，适用于需要承受较低电压的电路；
电流能力：其最大连续漏极电流为14A，适合需要大电流驱动的应用；
导通电阻：在VGS为10V，ID= 8A时，RDS(ON)为5.7mΩ，在VGS为4.5V，ID= 6A时，RDS(ON)为8.8mΩ，表现出较低的导通电阻，有利于减少能量损耗和提高效率；
专有高密度沟槽技术；
环保标准：符合RoHS 标准，无铅封装，环保性能良好，不含卤素或卤素含量极低
封装形式：采用SOP-8L封装
描述：电气特性 除非另有说明，TC=25℃
VDS（Drain-Source Voltage）：40V
VGS（Gate-Source Voltage）：±20V
ID（Continuous Drain Current）：Tc=25°对应最大漏极电流上限14 A,Tc=100°对应漏极电流上限最大值11A
IDM（Pulsed Drain Current）：115A
PD（Total Power Dissipation）：TC =25℃ 对应2.15W,TA = 70℃对应1.37W
EAS单脉冲雪崩能量:39mJ
RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)热阻:58°C\W
RθJL:结到壳的热阻:20°C\W
TJ\TSTG:-55 to +150°C
————其他详细参数请联系深圳市泰凌微电子有限公司团队————————————
原文链接：https://blog.csdn.net/HKTECHLINK/article/details/148421977
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