英伟达800V高压直流架构革新AI数据中心，三大功率GaN大厂新品揭秘
电子发烧友原创 章鹰
GaN作为一种性能优异的宽禁带半导体材料，近年来在功率半导体市场备受关注，从消费电子快充领域崛起，到如今的AI服务器、人形机器人等新兴市场应用，氮化镓器件正在显示强大的发展潜力。最近两家大厂在氮化镓领域新动态引发了业界的关注。
5月21日，纳微半导体美股盘后上涨了超202%，导致股价上涨的最重要原因之一是英飞凌和纳微结成的战略合作，5月20日，英伟达与纳微宣布构建合作伙伴关系，开发基于全新架构的下一代电源系统，该系统采用800 V高压直流 (HVDC) 集中发电技术。
7月3日，国产GaN龙头企业英诺赛科股价表现强劲，涨超11%。6月30日，英诺赛科发布公告，其最大基石投资者意法半导体（STM）原禁售期于6月29日到期后，已书面承诺未来12个月内不减持任何股份。 除基石投资者外，资本市场中的多家机构投资者同样看好英诺赛科的发展前景。7月8日，英诺赛科确认，公司将进一步提升8英寸（200nm）产能，预计年底将从1.3万片/月扩产至2万片/月。
TrendForce集邦咨询最新报告《2024全球GaN Power Device市场分析报告》显示， 2023年全球GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，至2030年有望上升至43.76亿美元，CAGR（复合年增长率）高达49%。在AI数据中心电源领域、纳微、英飞凌、英诺赛科推出了哪些新款产品？本文根据其性能优势和架构特色进行详细介绍。
GaN+SiC！纳微全球首发97.8%超高效12kW AI服务器电源
5月21日，美国功率半导体企业纳微半导体宣布，推出专为超大规模AI数据中心设计的最新12kW量产电源参考设计，可以适配功率密度达120kW的高功率服务器机架。
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